应用于传统封装与Sputter工艺,可适用于光学镜片、滤光片 、LED、半导体、集成电路板等半导体材料UV薄膜脱胶、UV胶带脱胶、UV膜粘性去除等工艺
♦采用LED灯照射进行解胶
♦支持Magazine和Cassette进出料
♦可瞬间启动,无需预热,功率可调适用于不同光强度需求
♦适用范围广、不会影响被解胶区域的温度及热变形
♦UV照射功率以及时间参数可调
♦适用3000mj/cm2,照射时间≤10秒
♦设备SECS/GEM协议 : SEMI E5、 E30、 E37、 E37.1、 E142
项目 | 规格描述 |
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UV能量 | >3000mj/cm2 |
照射波长 | 365mn |
照射温度 | <60℃ |
支持照射范围 | 250*250mm |
SECS/GEM协议 | SEMI E5、 E30、 E37、 E37.1、 E142 |
设备尺寸 | 1100*550*1750mm |